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800 nm Lightsheer半导体激光脱毛临床疗效及组织病理变化

Hair removal with 800 nanometer diode laser: a clinical and histological study

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资源类型:

收录情况: ◇ 统计源期刊 ◇ 中华系列

机构: [1]650032昆明昆明医学院第一附属医院皮肤性病科
出处:
ISSN:

关键词: 毛囊 脱毛 半导体激光

摘要:
目的 通过观察中国人脱毛的临床疗效及治疗前后的组织病理改变,探讨Lightsheer半导体激光脱毛的机制,探索出中国人的最佳治疗参数.方法 应用Lightsheer半导体激光仪(波长800nm,脉宽100 ms,光斑面积为9 mm×9 mm)对80例脱毛者进行脱毛治疗,能量密度20~40 J/cm2,2次治疗间隔为1个月.应用毛发平均直径及毛发平均密度定量观察临床疗效,光镜及电镜下观察脱毛前后毛发、毛囊及其他皮肤结构的组织病理改变.结果 80例经过3次脱毛治疗后,治疗区域毛发数量显著减少,剩余少许新生毛发直径变细.光镜下见毛囊有损伤,电镜下见整个毛囊壁均有不同程度损伤,内外毛根鞘细胞,特别是毛球部的毛母质细胞胞质内发生空泡样改变,内质网明显扩张,线粒体肿胀,细胞内含有的黑素小体崩解等改变.结论 Lightsheer半导体激光采用适当能量密度进行脱毛治疗,能有效而安全地脱去毛发.

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第一作者:
第一作者机构: [1]650032昆明昆明医学院第一附属医院皮肤性病科
推荐引用方式(GB/T 7714):

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